• Nowy

Kordalski W., Stefański T., Trofimowicz D., Time- and Frequency-Domain Quasi-2D Small-Signal MOSFET Models

25,20 zł
Cena Brutto

Słowa kluczowe: validation of the frequency-domain model, quasi-2D representation of the MOSFET, frequency-domain model, time-domain model 

 

Ilość

W książce przedstawiono nowe podejście do modelowania małosygnałowej pracy tranzystora MOS. Jego rezultatem są opracowania dwóch quasi-dwuwymiarowych, nie-quasi-statycznych, czterokońcówkowych modeli małosygnałowych MOSFET-a w dziedzinie czasu i częstotliwości. Opracowany quasi-dwuwymiarowy model w dziedzinie czasu stanowi podstawę matematyczno-fizyczną do wyprowadzenia quasi-dwuwymiarowego, nie-quasi-statycznego, czterokońcówkowego modelu małosygnałowego MOSFET-a w dziedzinie częstotliwości, uwzględniającego efekt DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering).

Z przeprowadzonej analizy wynika, że dwa typy fal mogą propagować się w kanale tranzystora MOS: podłużna fala zaburzeń koncentracji nośników i poprzeczna fala zaburzeń grubości kanału. Wykazano, że moduły zespolonych transadmitancji bramki i podłoża są malejącymi funkcjami częstotliwości. Nowy małosygnałowy model MOSFET-a w dziedzinie częstotliwości został pozytywnie zweryfikowany eksperymentalnie aż do częstotliwości 30 GHz. Parametry modelu przyjmują realistyczne wartości. Małosygnałowy model częstotliwościowy może być stosowany od zera Hz do częstotliwości kilkakrotnie większej od fT. Każdy parametr modelu opisuje jakieś zjawisko fizyczne. Obydwa nowe modele małosygnałowe mogą być użyte do analizy scalonych układów mikroelektronicznych o dowolnej topologii, a także mogą być zaimplementowane w komercyjnych symulatorach układów elektronicznych. Jesteśmy przekonani, że zaproponowane nowe modele pozwalają głębiej wniknąć w zasadę działania tranzystora MOS

WKS0105
Autor
Wiesław Kordalski
Rok wydania
2019
Nr wydania
1
Liczba stron
122
ISBN
978-83-7348-773-4

Pliki do pobrania

Spis treści

Pliki do pobrania (374.1k)